Use este identificador para citar ou linkar para este item:
http://repositorio.utfpr.edu.br/jspui/handle/1/6052| Título: | Tecnologias em sistemas de circuitos integrados |
| Autor(es): | Silva, Matheus Vidoti da |
| Orientador(es): | Neli, Roberto Ribeiro |
| Palavras-chave: | Semicondutores complementares de óxido metálico Circuitos integrados Transistores Semicondutores Metal oxide semiconductors, Complementary Integrated circuits Transistors Semiconductors |
| Data do documento: | 18-Jun-2018 |
| Editor: | Universidade Tecnológica Federal do Paraná |
| Câmpus: | Campo Mourao |
| Citação: | SILVA, Matheus Vidoti da. Tecnologias em sistemas de circuitos integrados. 2018. Trabalho de Conclusão de Curso (Bacharelado em Engenharia Eletrônica) – Universidade Tecnológica Federal do Paraná, Campo Mourão, 2018. |
| Resumo: | O crescente mercado de semicondutores faz com que cada vez mais pesquisas sejam direcionadas a esta área que tem como principal tecnologia a CMOS (Complementary metal-oxide-semiconductor, semicondutor de metal-óxido complementar). Este trabalho é uma revisão bibliográfica baseada principalmente nas bases de dados IEEE e Science Direct. A Lei de Moore é apresentada e seu fim é questionado. São discutidas as consequências que limitam a redução do tamanho do transistor CMOS, e que o limite seja de aproximadamente 20 nm para o comprimento do canal. Por fim são apresentadas tecnologias como o CNTFET (Carbon nanotube field-effect transistor, transistor de efeito de campo de nanotubo de carbono) e o SpinFET (Spin field-effect transistor, transistor de efeito de campo de spin), que tem um potencial para substituírem a tecnologia CMOS. |
| Abstract: | The crescent semiconductor market aims more and more researches at it’s main technology, CMOS (Complementary metal-oxide-semiconductor). This paper is a literature review based on the databases IEEE and Science Direct. The Moore’s Law is presented and its end is questioned. Also, the consequences that limit CMOS transistors scaling are discussed, which would be approximately 20 nm for the gate length. Lastly, new technologies that have a potential to overcome CMOS technologies, as the CNTFET (Carbon nanotube field-effect transistor) and SpinFET (Spin field-effect transistor), are presented. |
| URI: | http://repositorio.utfpr.edu.br/jspui/handle/1/6052 |
| Aparece nas coleções: | CM - Engenharia Eletrônica |
Arquivos associados a este item:
| Arquivo | Descrição | Tamanho | Formato | |
|---|---|---|---|---|
| tecnologiasistemascircuitosintegrados.pdf Disponível a partir de 5000-01-01 | 8,54 MB | Adobe PDF | Visualizar/Abrir |
Os itens no repositório estão protegidos por copyright, com todos os direitos reservados, salvo quando é indicado o contrário.