1. Repositório Institucional da Universidade Tecnológica Federal do Paraná (RIUT)
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dc.creatorSilva, Matheus Vidoti da
dc.date.accessioned2020-11-09T19:20:18Z-
dc.date.available2020-11-09T19:20:18Z-
dc.date.issued2018-06-18
dc.identifier.citationSILVA, Matheus Vidoti da. Tecnologias em sistemas de circuitos integrados. 2018. Trabalho de Conclusão de Curso (Bacharelado em Engenharia Eletrônica) – Universidade Tecnológica Federal do Paraná, Campo Mourão, 2018.pt_BR
dc.identifier.urihttp://repositorio.utfpr.edu.br/jspui/handle/1/6052-
dc.description.abstractThe crescent semiconductor market aims more and more researches at it’s main technology, CMOS (Complementary metal-oxide-semiconductor). This paper is a literature review based on the databases IEEE and Science Direct. The Moore’s Law is presented and its end is questioned. Also, the consequences that limit CMOS transistors scaling are discussed, which would be approximately 20 nm for the gate length. Lastly, new technologies that have a potential to overcome CMOS technologies, as the CNTFET (Carbon nanotube field-effect transistor) and SpinFET (Spin field-effect transistor), are presented.pt_BR
dc.languageporpt_BR
dc.publisherUniversidade Tecnológica Federal do Paranápt_BR
dc.rightsembargoedAccesspt_BR
dc.subjectSemicondutores complementares de óxido metálicopt_BR
dc.subjectCircuitos integradospt_BR
dc.subjectTransistorespt_BR
dc.subjectSemicondutorespt_BR
dc.subjectMetal oxide semiconductors, Complementarypt_BR
dc.subjectIntegrated circuitspt_BR
dc.subjectTransistorspt_BR
dc.subjectSemiconductorspt_BR
dc.titleTecnologias em sistemas de circuitos integradospt_BR
dc.typebachelorThesispt_BR
dc.description.resumoO crescente mercado de semicondutores faz com que cada vez mais pesquisas sejam direcionadas a esta área que tem como principal tecnologia a CMOS (Complementary metal-oxide-semiconductor, semicondutor de metal-óxido complementar). Este trabalho é uma revisão bibliográfica baseada principalmente nas bases de dados IEEE e Science Direct. A Lei de Moore é apresentada e seu fim é questionado. São discutidas as consequências que limitam a redução do tamanho do transistor CMOS, e que o limite seja de aproximadamente 20 nm para o comprimento do canal. Por fim são apresentadas tecnologias como o CNTFET (Carbon nanotube field-effect transistor, transistor de efeito de campo de nanotubo de carbono) e o SpinFET (Spin field-effect transistor, transistor de efeito de campo de spin), que tem um potencial para substituírem a tecnologia CMOS.pt_BR
dc.degree.localCampo Mourãopt_BR
dc.publisher.localCampo Mouraopt_BR
dc.contributor.advisor1Neli, Roberto Ribeiro
dc.contributor.referee1Rocha, Fabio Dallavecchia
dc.contributor.referee2Staniszewski, Louisie Aristides
dc.contributor.referee3Neli, Roberto Ribeiro
dc.publisher.countryBrasilpt_BR
dc.publisher.departmentDepartamento Acadêmico de Eletrônicapt_BR
dc.publisher.programEngenharia Eletrônicapt_BR
dc.publisher.initialsUTFPRpt_BR
dc.subject.cnpqCNPQ::ENGENHARIAS::ENGENHARIA ELETRICA::MATERIAIS ELETRICOSpt_BR
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